使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202010687442.3

申请日：

2020-07-16

授权公告号：

CN112242371B

授权公告日：

2025-10-28

申请人：

意法半导体(鲁塞)公司; 意法半导体有限公司

地址：

法国鲁塞

发明人：

L·埃拉尔; D·帕克; D·加尼

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L23/488

分类号：

H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56

国省代码：

FR0HARST

页数：

22

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

2019-07-19 US 62/876,530;2020-07-13 US 16/927,776

主权项：

1.一种半导体设备,包括：电路板,具有第一表面；芯片,在所述电路板的所述第一表面上,所述芯片具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；多个焊料球,被电耦合到所述电路板和所述芯片的所述第一侧,所述多个焊料球被彼此间隔；以及底层填充材料,接触所述电路板、所述芯片和所述焊料球,所述底层填充材料具有与所述电路板的所述第一表面相对的第二表面,和横向于所述第二表面的侧壁；所述底层填充材料的外边缘；以及所述电路板的侧边缘,所述底层填充材料的所述外边缘相对于所述电路板的所述侧边缘被定位于内部,所述电路板的所述第一表面在所述底层填充材料的所述侧壁和所述电路板的所述侧边缘之间被暴露；其中所述芯片的所述第二侧和所述底层填充材料的所述第二表面共面,其中所述底层填充材料的所述侧壁和所述底层填充材料的所述第二表面彼此垂直。

摘要：

本公开的实施例涉及使用牺牲侧壁层制造薄半导体芯片的方法及其设备。本公开提供了设备和方法,其中半导体芯片具有减少的尺寸和厚度。通过利用牺牲性或牺牲硅晶片来制造设备。在牺牲硅晶片中形成凹进,其中半导体芯片被安装在凹进中。在牺牲硅晶片与芯片之间的空间被利用底层填充材料填充。使用任何适当的蚀刻处理,牺牲硅晶片和芯片的背侧被蚀刻,直至牺牲硅晶片被移除,并且芯片的厚度被减少。利用该处理,在一些实施例中,半导体芯片的整体尺寸可以被变薄到小于50μm。该超薄半导体芯片可以被并入制造柔性/可卷曲显示面板、可折叠移动设备、可穿戴显示器、或任何其他电气或电子设备中。

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本领域科技成果与标准

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研究与应用

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