晶体管结构
发布时间：2025-10-21 11:25:15 人气：20
晶体管结构
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010463633.1
申请日：
2020-05-27
授权公告号：
CN112018182B
授权公告日：
2025-10-21
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D30/65
分类号：
H10D30/65;H10D62/10;H10D84/83
国省代码：
FR0HARST
页数：
18
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-05-28 FR 1905661
主权项：
1.一种晶体管,包括：衬底的第一漂移区；第一源极/漏极区域,设置在所述第一漂移区中；第二源极/漏极区域,设置在所述第一漂移区中并且与所述第一源极/漏极区域分隔；第一沟道,沿着所述第一漂移区的第一侧从所述第一源极/漏极区域延伸至所述第二源极/漏极区域；第一导电元件,位于所述第一沟道中；栅电极,位于所述第一沟道中,与所述第一导电元件相邻；通道区域,与所述栅电极和所述第一源极/漏极区域相邻并且与所述第一漂移区接触；以及其中所述通道区域和所述第二源极/漏极区域在所述衬底的相同的表面侧上；所述晶体管还包括通过所述第一漂移区与所述衬底的表面侧分隔的掩埋阱,其中所述第一沟道到达掩埋阱；其中所述第一漂移区的第二部分位于所述通道区域与所述掩埋阱之间。
摘要：
本公开的实施例总体上涉及晶体管结构。公开了一种晶体管。在一个实施例中,晶体管包括衬底的第一半导体区、在第一侧分隔第一半导体区的第一沟道、位于第一沟道中的第一导电元件、与第一半导体区接触的通道区域和与第一半导体区接触的第一区域,其中通道区域和第一接触区域位于衬底的相同的表面侧。
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