相变存储器
发布时间：2025-09-26 12:03:20 人气：14
相变存储器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010462793.4
申请日：
2020-05-27
授权公告号：
CN112018233B
授权公告日：
2025-09-26
申请人：
意法半导体(克洛尔2)公司; 意法半导体(鲁塞)公司
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B63/10
分类号：
H10B63/10
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-05-28 FR 1905665
主权项：
1.一种制造相变存储器的方法,包括：在衬底上形成晶体管；在所述晶体管上形成第一绝缘层；形成延伸穿过所述第一绝缘层的导电过孔；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述导电过孔上形成电阻元件,所述电阻元件延伸穿过所述第二绝缘层；在所述电阻元件上形成相变材料层；在所述相变材料层上形成导电层；在所述导电层上形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层中形成空腔,所述空腔垂直覆盖在所述相变材料层之上；以及在所述空腔的侧壁和底面上形成第四绝缘层,其中形成所述空腔包括：形成具有侧壁的次级腔,并且所述次级腔的所述侧壁的一部分由所述相变材料层形成,并且其中所述次级腔的所述侧壁的一部分由所述电阻元件形成。
摘要：
本公开涉及一种相变存储器的制造方法和相变存储器设备。方法包括在空腔中形成第一绝缘层,该空腔以与相变材料带垂直对齐的方式放置,并各向异性地蚀刻第一绝缘层的位于空腔底部的部分；以及包括第一绝缘层的相变存储器设备,该第一绝缘层紧靠以与相变材料带垂直对齐的方式放置的空腔的侧壁。
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