相变存储器
发布时间：2025-09-23 12:43:53 人气：22
相变存储器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111265534.3
申请日：
2021-10-28
授权公告号：
CN114430006B
授权公告日：
2025-09-23
申请人：
意法半导体(克洛尔2)公司; 意法半导体(鲁塞)公司
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B63/10
分类号：
H10B63/10
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
22
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-10-29 FR 2011087;2021-10-21 US 17/507,645
主权项：
1.一种器件,包括：相变存储器单元,所述相变存储器单元的每个存储器单元包括：导电材料的第一元件,所述第一元件具有第一表面,所述第一表面与第二表面相对,所述第一表面接触相变材料的第二元件；以及第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖并且直接接触所述第一元件和所述第二元件,所述第一元件的所述第二表面从所述第一绝缘层暴露,所述第一绝缘层是连续的层,其中所述第一元件是平面的水平层,并且所述第二元件的部分位于所述第一元件的级之上并且所述第二元件的部分位于所述第一元件的所述级之下。
摘要：
本公开的各实施例涉及相变存储器。本说明书涉及包括相变存储器单元的器件,每个存储器单元包括与由相变材料制成的第二元件横向接触的第一电阻元件。
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