包括氮化镓功率晶体管的单片式组件
发布时间：2025-09-05 12:52:06 人气：14
包括氮化镓功率晶体管的单片式组件
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010561803.X
申请日：
2020-06-18
授权公告号：
CN112117271B
授权公告日：
2025-09-05
申请人：
意法半导体应用有限公司; 意法半导体(图尔)公司
地址：
德国阿什海姆
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/00
分类号：
H10D84/00;H10D84/05;H02M1/00;H02M1/08;H02M1/32
国省代码：
DE0BYKEH
页数：
19
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-06-19 FR 1906589
主权项：
1.一种电子组件,包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子,形成在所述氮化镓衬底上；场效应功率晶体管,形成在所述氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管,形成在所述氮化镓衬底上,并且被串联耦合在所述第一连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极之间；以及第二肖特基二极管,形成在所述氮化镓衬底上,并且被串联耦合在所述第二连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极之间,其中所述第二肖特基二极管经由所述第二连接端子耦合到第一电容器,并且其中所述第一电容器,连接在所述第二连接端子和所述场效应功率晶体管的所述源极之间。
摘要：
单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
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