保护装置
发布时间：2025-08-26 12:49:17 人气：11
保护装置
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010794409.0
申请日：
2020-08-10
授权公告号：
CN112349776B
授权公告日：
2025-08-26
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D10/60
分类号：
H10D10/60;H10D62/17;H10D89/60
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
15
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-08-09 FR 1909122
主权项：
1.一种电子装置,包括衬底,所述衬底包括：阱；外围绝缘壁,横向地围绕所述阱；以及至少一个横向双极型晶体管,形成在所述阱中,并且所述至少一个横向双极型晶体管具有在平行的集电极区域和发射极区域下延伸的基极区域；所述外围绝缘壁在平行于所述集电极区域和所述发射极区域的第一方向上被加宽,使得所述基极区域穿透到所述外围绝缘壁中,其中：所述衬底具有第一导电类型；所述外围绝缘壁具有所述第一导电类型；所述基极区域具有所述第一导电类型；所述阱具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；并且所述集电极区域和所述发射极区域具有所述第二导电类型。
摘要：
本公开的实施例提供了一种保护装置。本公开提供了一种包括衬底的电子装置。衬底包括阱和横向地围绕该阱的外围绝缘壁。在阱中形成至少一个横向双极型晶体管,并且至少一个晶体管具有在平行的集电极区域和发射极区域下延伸的基极区域。外围绝缘壁在平行于集电极区域和发射极区域的第一方向上被加宽,使得基极区域穿透到外围绝缘壁中。
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