图像传感器
发布时间：2025-08-19 12:51:08 人气：17
图像传感器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011095830.9
申请日：
2020-10-14
授权公告号：
CN112736100B
授权公告日：
2025-08-19
申请人：
法国原子能及替代能源委员会; 意法半导体(克洛尔2)公司
地址：
法国巴黎
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F39/12
分类号：
H10F39/12;H10F39/00
国省代码：
FR0VPPAR
页数：
16
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-10-14 FR 1911402
主权项：
1.一种图像传感器,包括：半导体衬底；多个像素,形成在所述半导体衬底中以及在所述半导体衬底上,并且以具有N行和M列的矩阵的形式布置,其中N是大于或等于1的整数,并且M是大于或等于2的整数；以及多个微透镜,面向所述衬底,所述微透镜中的每个微透镜与相应的像素相关联,所述微透镜以矩阵形式被布置在N行和M列中,其中,在所述像素矩阵的行的方向上,所述微透镜矩阵的间距大于所述像素矩阵的间距；其中,所述微透镜是菲涅耳波带片类型的衍射微透镜,每个衍射微透都由通过光刻和蚀刻平面层形成的同心的环或环部分的阵列构成,每个所述微透镜的光轴线与所述同心的环或环部分的中心重合。
摘要：
本公开的各实施例涉及图像传感器。本公开涉及一种图像传感器,该图像传感器包括多个像素,这些像素形成在半导体衬底中以及在半导体衬底上,并且以具有N行和M列的矩阵的形式布置,其中N是大于或等于1的整数,并且M是大于或等于2的整数。多个微透镜面向衬底,并且微透镜中的每个微透镜与相应的像素相关联。微透镜以矩阵形式被布置在N行和M列中,并且在像素矩阵的行的方向上,微透镜矩阵的间距大于像素矩阵的间距。
查看法律状态
相似专利
[1] CMOS光学传感器的元胞结构. 王雷.中国专利:CN114242744B,2025-05-02
[2] 感光装置. 黄彦棠;陈彦良.中国专利:CN114566514B,2025-08-12
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
未找到相关数据
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共7条
[1] 石英微透镜列阵的制造和测量. .国外激光,1994(09)
[2] 用反应离子刻蚀技术制作Ge菲涅尔微透镜列阵. 税必继,郭永康,粟敬钦,姚军,杜春雷,周礼书,张锦,王永茹.四川大学学报(自然科学版),1998(01)
[3] 佳能中级单反EOS 60D. .实用影音技术,2010(10)
[4] 准分子激光选择CVD技术的SnO_2薄膜图形生长及微透镜制作. 王庆亚，姜喜兰，马力，郑伟.仪器仪表学报,1995(S1)
[6] 尼康D600和佳能EOS 6D专辑. 袁新刚.人像摄影,2012(11)
[7] 无线投影,很简单Epson EB-1725. 王颖鑫.数码世界(B版),2009(04)
