氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件
发布时间：2025-08-08 12:55:58 人气：17
氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111003833.X
申请日：
2021-08-30
授权公告号：
CN114124062B
授权公告日：
2025-08-08
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H03K17/74
分类号：
H03K17/74
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
21
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-08-28 FR 2008791;2021-08-26 US 17/412,556
主权项：
1.一种器件,包括：电子器件,包括：可控电流源,耦合在第一节点与第一端子之间,所述第一端子被耦合到可控二极管的阴极；电容器,耦合在所述第一节点与第二端子之间,所述第二端子被耦合到所述可控二极管的阳极；第一开关,耦合在所述第一节点与第三端子之间,所述第三端子被耦合到所述可控二极管的栅极；第二开关,耦合在所述第二端子与所述第三端子之间；以及第一二极管,耦合在所述第三端子与所述第二端子之间,所述第一二极管的阳极被耦合到所述第三端子。
摘要：
本公开的实施例涉及氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件。一种器件,包括连接在第一节点与第一端子之间的可控电流源,第一端子耦合到可控二极管的阴极。电容器连接在第一节点与第二端子之间,第二端子耦合到可控二极管的阳极。第一开关连接在第一节点与第三端子之间,第三端子耦合到可控二极管的栅极。第二开关连接在第二端子与第三端子之间。第一二极管连接在第三端子与第二端子之间,第一二极管的阳极优选耦合到第三端子。
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[1] 氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件. F·戈蒂埃.中国专利:CN114124062A,2022-03-01
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