超低电压数字电路的本体偏置
发布时间：2025-07-08 16:17:55 人气：10
超低电压数字电路的本体偏置
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910853131.7
申请日：
2019-09-10
授权公告号：
CN110890886B
授权公告日：
2025-07-08
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H03K19/0944
分类号：
H03K19/0944
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;吕世磊
优先权：
2018-09-11 US 16/127,771
主权项：
1.一种电子电路,包括：数字电路,由具有正电源电压和地电源电压的功率域供电,其中所述数字电路包括由多个逻辑门形成的逻辑电路,其中所述多个逻辑门中的每个逻辑门包括至少一个p沟道MOSFET和至少一个n沟道MOSFET,所述至少一个p沟道MOSFET具有连接到n本体偏置节点的n本体,所述至少一个n沟道MOSFET具有连接到p本体偏置节点的p本体；以及本体偏置发生器电路,被配置为将n本体偏置电压施加到所述多个逻辑门中的所述p沟道MOSFET的所述n本体偏置节点,并且将p本体偏置电压施加到所述多个逻辑门中的所述n沟道MOSFET的所述p本体偏置节点,其中所述本体偏置发生器电路操作以：在第一模式下,将所述地电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述n本体偏置节点作为所述n本体偏置电压,并且将所述正电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述p本体偏置节点作为所述p本体偏置电压；以及在第二模式下,将所述正电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述n本体偏置节点作为所述n本体偏置电压,并且将所述地电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述p本体偏置节点作为所述p本体偏置电压。
摘要：
数字电路包括由逻辑门形成的逻辑电路。每个逻辑门包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点,并且将p本体偏置电压施加到n沟道MOSFET的p本体偏置节点。本体偏置发生器电路操作以：在第一模式下,将地电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将正电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压；以及在第二模式下,将正电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将地电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压。
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