包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法
发布时间：2025-07-08 16:19:05 人气：9
包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011162098.2
申请日：
2020-10-27
授权公告号：
CN112802912B
授权公告日：
2025-07-08
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F77/40
分类号：
H10F77/40;H10F30/225;H10F39/10;H10F71/00
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
15
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
罗利娜
优先权：
2019-10-28 FR 1912072
主权项：
1.一种集成电路,包括：半导体衬底；单光子雪崩二极管的阵列,被形成在所述半导体衬底的前侧,所述阵列包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管和所述第二二极管彼此相邻；以及布拉格反射镜,被定位在所述第一二极管与所述第二二极管之间,所述布拉格反射镜被配置成防止光在所述第一二极管与所述第二二极管之间的传播,其中每个布拉格反射镜(MB)包括不同折射率的至少两种材料的至少三个交替层,所述至少三个交替层中的至少两个层在深度上如下延伸到所述半导体衬底中：从所述前侧向下到底部绝缘区域,所述底部绝缘区域限定每个二极管的底部,所述底部绝缘区域将每个二极管与所述半导体衬底的其余部分电绝缘,其中所述至少三个交替层中的至少一个层在深度上从所述前侧向下延伸到远端,所述远端位于所述前侧与所述底部绝缘区域之间。
摘要：
本公开的实施例涉及包括雪崩二极管阵列的集成电路及其制造方法。集成电路在半导体衬底中形成。单光子雪崩二极管的阵列在半导体衬底的前侧形成。该阵列包括第一二极管和第二二极管,第一二极管和第二二极管彼此相邻。布拉格反射镜被定位在第一二极管与第二二极管之间。布拉格反射镜被配置成防止光在第一二极管与第二二极管之间的传播。
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