非易失性存储器数据总线
发布时间：2025-07-01 16:22:50 人气：8
非易失性存储器数据总线
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010335365.5
申请日：
2020-04-24
授权公告号：
CN111863047B
授权公告日：
2025-07-01
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C5/06
分类号：
G11C5/06;G11C16/24;G11C16/26
国省代码：
FR0HARST
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-04-26 FR 1904443
主权项：
1.一种非易失性存储器集成电路,包括：存储器平面,被组织成行和列,所述列包含位线；针对每个位线的读取放大器,所述读取放大器被配置为在读取数据通道上生成输出信号；针对每个位线的复用元件,所述复用元件被配置为基于由所述位线的所述读取放大器递送的所述输出信号,在所述非易失性存储器集成电路的输出总线上提供数据信号；以及至少一个冗余位线,其中所述冗余位线的所述复用元件被配置为：基于由所述冗余位线的所述读取放大器递送的所述输出信号,在冗余数据通道上提供冗余数据信号,所述冗余数据通道被连接到其他位线的所述复用元件的冗余数据输入,其中所述读取数据通道分别沿着每个位线穿过所述存储器平面；并且其中每个读取数据通道被连接到相应的所述位线的所述读取放大器中的所有读取放大器。
摘要：
本公开的各实施例涉及非易失性存储器数据总线。一种非易失性存储器集成电路,具有被组织成的行和列的存储器平面,列包含位线。针对每个位线的读取放大器被配置为在读取数据通道上生成输出信号。读取数据通道分别沿着每个位线穿过存储器平面。每个读取数据通道被连接到相应的位线的所有的读取放大器。
查看法律状态
相似专利
[1] 印刷电路板和包括印刷电路板的存储装置. 白隼奇;朴光洙;金熙珠.中国专利:CN110544494A,2019-12-06
[2] 非易失性存储器数据总线. F·拉罗萨.中国专利:CN111863047A,2020-10-30
[3] 印刷电路板和包括印刷电路板的存储装置. 白隼奇;朴光洙;金熙珠.中国专利:CN110544494B,2025-01-10
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共2条
[1] 基于相变纳米线的片上集成全光非易失性存储器的研究. 吕业刚;Wolfram H.P.Pernice;张巍;徐培鹏;王国祥;王苗;马亚东;李增光;张森.国家科技成果.
[2] RRAM单元测试系统切换器及RRAM单元测试系统. 张婷;张伟风;陈红举;黄宗胤;孙献文;张奇惠;王蓓;高伟.国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共181条
[1] 非易失性存储器主流简介. 林荣智.商业故事,2016(22)
[2] 非易失性存储器缺点及优化角度. 唐昊;韩东洪.计算机产品与流通,2019(06)
[3] 飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器. .现代电子技术,2006(07)
[4] 正确选择非易失性存储器. Antony Watts.电子设计技术,1996(06)
[5] 非易失性存储器在二十一世纪的问题、挑战和发展趋向. 叶发.世界电子元器件,1997(03)
[6] 应变工程在非易失性存储器中的应用. R．Arghavani;V．Banthia;M．Balseanu;N．Ingle;N．Derhacobian;S．E．Thompson.集成电路应用,2006(06)
[7] 非易失性存储器:在二十一世纪的问题、挑战和发展趋势. 杨晋中.电子产品世界,1997(02)
[8] 非易失性存储器FLASHMEMORY的编程. 李永镇，李江.西南工学院学报,1995(01)
[9] 固态盘测试方法标准研究. 孔宪伟;张越;李可.信息技术与标准化,2022(04)
[10] Kilopass推出颠覆DRAM产业的VLT技术. 杨迪娜.单片机与嵌入式系统应用,2016(11)
硕博共80条
[1] 基于新型非易失性存储器的移动终端性能优化研究. 钟刊.重庆大学,2018
[2] NVM存储策略研究与实现. 杨峻欢.电子科技大学,2018
[3] 一种基于标准CMOS工艺的OTP存储芯片的实现. 赵立明.天津工业大学,2018
[4] 嵌入式系统中基于非易失性存储器的数据分布优化研究. 艾青.重庆邮电大学,2019
[5] 基于核壳型半导体量子点的浮栅晶体管非易失性存储器研究. 闫成员.深圳大学,2019
[6] 基于电荷直接注入机制的高速非易失性存储器. 李媛.天津理工大学,2022
[7] 非易失性存储器IP的功能研究与设计. 邱浩鑫.电子科技大学,2010
[8] 基于非易失性存储器的混合内存系统性能优化研究. 杨涓.重庆大学,2020
[9] NVM与DRAM混合存储优化策略的研究与实现. 张益铭.电子科技大学,2017
[10] 移动终端持久性内存的寿命和安全性问题研究. 罗先露.重庆大学,2016
会议共4条
[1] 有机纳米浮栅型非易失性存储器. 高旭;佘小健;刘杰;王穗东.中国化学会第29届学术年会,2014
[2] 关注非易失性存储器IP及其在消费类,通信类及无线电子产品中的应用. PeterW.Lee.2003中国通信专用集成电路技术及产业发展研讨会,2003
[3] 挠曲电性在铁电高分子有机电子器件中的应用. 陈昕;刘佳豪;唐鑫;沈群东.2015年全国高分子学术论文报告会,2015
[4] 基于固化代码的多外设多核数字信号处理器启动设计. 刘大雪;陈小文;嵇薇薇;许邦建.第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛,2015
报纸共5条
[1] 加密硬件可确保非易失性存储器应用安全. 刘霞.科技日报,2011-05-19
[2] 英特尔和美光科技推出突破性存储技术. .中国信息化周报,2015-08-17
[3] 世界最快闪存在中国“破晓”. 江庆龄.中国科学报,2025-04-18
[5] 五大趋势推动MCU“芯”变革. 张心怡.中国电子报,2025-08-08
