用于针对高反应性材料执行样品提取的系统和方法
发布时间：2025-07-01 16:23:38 人气：9
用于针对高反应性材料执行样品提取的系统和方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202211718548.0
申请日：
2022-12-30
授权公告号：
CN116385341B
授权公告日：
2025-07-01
申请人：
FEI 公司
地址：
美国俄勒冈州
发明人：
C·汤普森; D·埃利斯; A·斯托克斯; R·凯利; C·布谢-马奎斯
专辑：
信息科技
专题：
计算机软件及计算机应用
主分类号：
G06T7/00
分类号：
G06T7/00;H01J37/20;H01J37/26;H01J37/244
国省代码：
US0OR000
页数：
28
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
黄涛;吕传奇
优先权：
2021-12-31 US 17/566904
主权项：
1.一种用于在样品操控器与带电粒子系统内的样品之间创建附接的方法,所述方法包括：使样品操控器平移,使得其靠近样品,其中所述样品操控器的靠近所述样品的部分是由高溅射产率材料构成；及运用带电粒子束对所述高溅射产率材料进行铣削,使得所述高溅射产率材料的部分从所述样品操控器去除,且其中被去除的高溅射产率材料中的至少一些再沉积以在所述样品操控器与所述样品之间形成附接,其中所述样品操控器包括附接到探针的中间主体,其中所述中间主体是由所述高溅射产率材料构成,其中所述中间主体通过包括以下各项的过程附接到所述样品操控器的探针部分：使所述探针部分平移,使得其靠近所述中间主体；及运用所述带电粒子束对所述中间主体的靠近所述探针的部分进行铣削,其中被去除的中间主体中的至少一些再沉积以在所述探针部分与所述中间主体之间形成附接,以及当运用30kV聚焦离子束照射所述高溅射产率材料时,所述高溅射产率材料对应于每离子大于5个原子的发射速率。
摘要：
本文中公开用于在样品操控器与带电粒子系统内的样品之间创建附接的方法和系统。方法包含使样品操控器平移使得其靠近样品,及对所述样品操控器的部分进行铣削使得去除部分。所述样品操控器的靠近所述样品的所述部分是由高溅射产率材料构成,且所述高溅射产率材料可以是运用带电粒子束铣削的材料,使得其从所述样品操控器去除。根据本公开,所述样品操控器的所述部分被铣削,使得被去除的高溅射产率材料中的至少一些重新沉积以在所述样品操控器与所述样品之间形成附接。
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