光电二极管
发布时间：2025-06-27 16:25:16 人气：8
光电二极管
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010090938.2
申请日：
2020-02-13
授权公告号：
CN111564510B
授权公告日：
2025-06-27
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F77/14
分类号：
H10F77/14;H10F39/18
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2019-02-14 FR 1901504
主权项：
1.一种光电二极管,包括：半导体衬底,所述半导体衬底包括第一掺杂剂类型的第一衬底层、以及在所述第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层；所述半导体衬底中的多个半导体壁；其中所述多个半导体壁包括：第一外半导体壁和第二外半导体壁,在第一方向上彼此平行延伸,所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁中的每个外半导体壁具有第一长度；和多个内半导体壁,在所述第一方向上彼此平行延伸,并且被定位在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间,所述多个内半导体壁包括：第一内半导体壁,具有小于所述第一长度的第二长度；和第二内半导体壁和第三内半导体壁,各自具有小于所述第二长度的第三长度,其中所述第二内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第一内半导体壁之间,并且其中所述第三内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第一内半导体壁之间。
摘要：
本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。半导体壁包括：两个外半导体壁和定位在两个外半导体壁之间的至少一个内半导体壁。每个内半导体壁位于具有更长长度的两个半导体壁之间。
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