用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路
发布时间：2025-06-10 15:10:44 人气：5
用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010146917.8
申请日：
2020-03-05
授权公告号：
CN111668222B
授权公告日：
2025-06-10
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B41/00
分类号：
H10B41/00
国省代码：
FR0HARST
页数：
12
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
崔卿虎
优先权：
2019-03-06 FR 1902277
主权项：
1.一种集成电路,包括：半导体衬底,具有正面；浅槽隔离区域,在所述半导体衬底中；第一晶体管,由所述半导体衬底支撑；第二晶体管,由所述半导体衬底支撑,电容性元件,在所述浅槽隔离区域的顶部上：其中所述电容性元件包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域,其中所述第一导电区域与所述浅槽隔离区域的上表面接触并且形成所述电容性元件的第一电极,所述第二导电区域形成所述电容性元件的第二电极,并且所述第三导电区域形成所述电容性元件的第三电极；其中所述第一晶体管包括延伸到所述半导体衬底中的垂直导电栅极；其中所述第二晶体管包括栅极,所述栅极包括在所述半导体衬底之上延伸的浮动栅极和控制栅极；第一电介质层,在所述电容性元件的所述第一导电区域和所述第二导电区域之间形成绝缘层,并且进一步在所述浮动栅极和所述半导体衬底之间形成绝缘层；第二电介质层,在所述电容性元件的所述第二导电区域和所述第三导电区域之间形成绝缘层,并且进一步在所述控制栅极和所述浮动栅极之间形成绝缘层；其中所述第三导电区域和所述控制栅极由公共导电层形成；其中所述第二导电区域和所述浮动栅极由公共导电层形成；以及其中所述第一导电区域和所述垂直导电栅极由公共导电层形成。
摘要：
本文描述了用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路。半导体衬底具有带有第一电介质区域的正面。电容性元件在正面处的第一电介质区域的表面上包括层堆叠,该层堆叠包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域。第二导电区域通过第二电介质区域与第一导电区域电绝缘。第二导电区域进一步通过第三电介质区域与第三导电区域电绝缘。第一导电区域和第三导电区域形成电容性元件的一个板,并且第二导电区域形成电容性元件的另一板。
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