保护以防过热的功率部件
发布时间：2025-05-30 15:13:14 人气：3
保护以防过热的功率部件
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110466028.4
申请日：
2016-09-28
授权公告号：
CN113206077B
授权公告日：
2025-05-30
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D89/60
分类号：
H10D89/60;H10D18/80
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
12
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2016-03-31 FR 1652822
分案原申请号：
201610862478.4 2016.09.28
主权项：
1.一种集成电路,包括：硅衬底,具有上表面侧和下表面侧,并且包括层的堆叠,所述层的堆叠包括：掺杂有第一传导类型的第一层、掺杂有第二传导类型的第二层、以及掺杂有所述第一传导类型的第三层；第一金属化层,在所述上表面侧上,并且具有第一部分,所述第一部分置于所述第二传导类型的第一掺杂区域上,所述第一掺杂区域被形成在所述第三层中；栅极金属化层,在所述上表面侧上,并且置于所述第二传导类型的第二掺杂区域上,所述第二掺杂区域被形成在所述第三层中；多孔硅棒,被形成在所述第三层中,其中所述多孔硅棒的第一端与所述第一掺杂区域和所述第一金属化层接触,并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述第二掺杂区域和所述栅极金属化层接触；以及第二金属化层,在所述下表面侧上。
摘要：
本公开的实施例涉及保护以防过热的功率部件。三端双向可控硅开关具有从硅衬底形成的竖直结构,硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。
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