MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用
发布时间：2025-05-16 15:15:10 人气：7
MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111216585.7
申请日：
2021-10-19
授权公告号：
CN114446954B
授权公告日：
2025-05-16
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/85
分类号：
H10D84/85;H01L21/66;H10D62/13;H10D64/27;H10D30/60;G01D5/14
国省代码：
FR0HARST
页数：
30
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-10-19 FR 2010681;2021-10-18 US 17/504,021
主权项：
1.一种检测系统,包括：封闭容器；集成电路,具有第一衬底、以及第一端子和第二端子；导电导线,将所述第一端子和所述第二端子连接,并且具有可切断部分,所述可切断部分被布置为在打开或尝试打开所述封闭容器的情况下被切断,以及检测设备,被配置为检测所述可切断部分的切断；其中所述检测设备包括在所述集成电路内的以下项：第一电容器,与所述集成电路的所述第一衬底电隔离并且被连接到所述第一端子；第一MOS晶体管,具有与所述第一衬底电隔离的源极区和漏极区、以及被连接到所述第二端子的栅极区,其中所述第一MOS晶体管被配置为响应于零电压被施加到所述栅极区而处于导通状态,并且响应于非零电压被施加到所述栅极区而处于断开状态；第二电容器,与所述集成电路的所述第一衬底电隔离,并且具有第一电极,所述第一电极被连接到所述第一MOS晶体管的所述漏极区；以及测量电路,被配置为测量所述第一电极处的电压,其中如果所述电压低于阈值,则所述第一电极的所述电压指示所述可切断部分的目前或过去的切断。
摘要：
本公开的各实施例涉及MOS晶体管和用于检测封闭容器的打开的应用。一种集成电路包括第一衬底。MOS晶体管具有第一多晶硅区,该第一多晶硅区与第一衬底电隔离并且包括栅极区。第二多晶硅区与第一多晶硅区和第一衬底电隔离。第二多晶硅区包括MOS晶体管的源极区、衬底区和漏极区。第一多晶硅区位于第一衬底的区域与第二多晶硅区之间。
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