写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路
发布时间：2025-05-09 15:21:54 人气：9
写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110396285.5
申请日：
2021-04-13
授权公告号：
CN113539338B
授权公告日：
2025-05-09
申请人：
意法半导体股份有限公司; 意法半导体(鲁塞)公司
地址：
意大利阿格拉布里安扎
发明人：
F·拉罗萨; E·卡斯塔尔多; F·格兰德; S·N·A·帕加诺; G·纳斯塔西; F·伊塔里亚诺
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C16/14
分类号：
G11C16/14;G11C16/34
国省代码：
IT0VAABZ
页数：
20
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-04-14 FR 2003730;2021-04-06 US 17/224,024
主权项：
1.一种用于写入非易失性存储器的方法,包括：擦除容纳在所述非易失性存储器的半导体阱中的存储器单元,每个所述存储器单元具有浮置栅极和控制栅极,所述擦除包括用第一擦除电压偏置所述半导体阱,所述第一擦除电压具有比所述存储器的控制栅极开关电路的双极结的击穿电压电平大的绝对值,所述第一擦除电压的绝对值基于所述存储器单元的磨损指示的值与磨损阈值的比较,其中所述第一擦除电压的所述绝对值响应于所述比较指示所述磨损指示的值大于所述磨损阈值而被增加,并且其中所述擦除包括：使用所述控制栅极开关电路,用第二擦除电压偏置所选择的存储器单元的所述控制栅极；以及写入所述存储器单元中的一个或多个存储器单元,其中擦除周期包括：经由所述控制栅极开关电路,用中和电压偏置未选择的存储器单元的所述控制栅极,其中响应于所述磨损指示的值大于所述磨损阈值,所述第一擦除电压的电平被维持在等于针对所述控制栅极开关电路的所述双极结的所述击穿电压电平所取的容差裕度的电平,并且其中,所述存储器包括外围电路、以及容纳在缓冲半导体阱中的缓冲晶体管；所述存储器单元通过所述缓冲晶体管的导电端子被耦合到所述外围电路；并且所述缓冲半导体阱和所述缓冲晶体管的栅极被缓冲隔离电压偏置,以将所述外围电路与所述第一擦除电压隔离。
摘要：
公开了写入非易失性存储器的方法和相应的集成电路。非易失性存储器的半导体阱容纳存储器单元。每个存储器单元具有浮置栅极和控制栅极。对存储器单元的擦除包括用第一擦除电压偏置半导体阱,第一擦除电压的绝对值大于存储器的控制栅极开关电路的双极结的击穿电压电平。第一擦除电压的绝对值基于存储器单元的磨损指示的值与磨损阈值的比较。
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