具有可调整击穿电压的齐纳二极管
发布时间：2025-05-09 15:22:40 人气：7
具有可调整击穿电压的齐纳二极管
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010455022.2
申请日：
2015-11-23
授权公告号：
CN111599871B
授权公告日：
2025-05-06
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D62/10
分类号：
H10D62/10;H10D8/25;H10D64/00;H10D8/01;H10D12/00
国省代码：
FR0HARST
页数：
16
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
李兴斌
优先权：
2015-03-19 FR 1552290
分案原申请号：
201510818928.5 2015.11.23
主权项：
1.一种电子装置,包括：半导体衬底,具有第一表面；阳极区域,形成在所述衬底中,所述阳极区域具有第一导电类型；阴极区域,形成在所述衬底中并且从所述第一表面延伸到所述衬底中,所述阴极区域具有第二导电类型；齐纳二极管结,在所述阳极区域与所述阴极区域之间；栅极,从所述第一表面延伸到所述衬底中；以及栅极介电层,在所述齐纳二极管结与所述栅极之间,所述栅极介电层与所述阳极区域和所述阴极区域的侧表面抵接接触。
摘要：
本发明涉及具有可调整击穿电压的齐纳二极管。本发明涉及一种齐纳二极管,包括：形成在半导体衬底(SUB)中并且平行于在阴极区域(CD1)与阳极区域(AD1)之间的衬底的表面的齐纳二极管结、被配置成在受到适当的电压时生成垂直于齐纳二极管结的第一电场的传导区域(BDC,EDC,ED1,NW)、以及被配置成在受到适当的电压时生成在齐纳二极管结的平面中的第二电场的传导区域(GT1,GTC)。
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