形成半导体器件的结构和方法
发布时间：2025-04-30 09:10:43 人气：9
形成半导体器件的结构和方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010915312.0
申请日：
2020-09-03
授权公告号：
CN112447592B
授权公告日：
2025-04-29
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/03
分类号：
H10D84/03;H10D84/60;H10B41/10;H10B41/30
国省代码：
FR0HARST
页数：
25
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-09-04 US 16/560,810
主权项：
1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括：同时蚀刻半导体层和导电层来形成被设置在绝缘层上的自对准二极管区域,所述半导体层具有第一导电类型；穿过掩模层的第一开口进行蚀刻,以在所述半导体层上形成第一注入表面,并在所述半导体层之上形成多个突起区域,所述多个突起区域包括所述导电层的导电材料；以及使用所述多个突起区域作为第一注入掩模的一部分,执行将具有第二导电类型的掺杂剂注入到所述半导体层中的第一注入,以用于在所述半导体层中形成PN结序列,所述PN结序列形成二极管,所述二极管从所述半导体层的上表面垂直延伸到所述绝缘层。
摘要：
本公开涉及形成半导体器件的结构和方法。根据本发明的一个实施例,制造半导体器件的方法包括同时蚀刻半导体层和导电层来形成被设置在绝缘层的自对准二极管区域,其中半导体层具有第一导电类型。方法还包括穿过掩模层的第一开口进行蚀刻,以在半导体层上形成第一注入表面,并在半导体层之上形成包括导电层的导电材料的多个突起区域。方法还包括使用多个突起区域作为第一注入掩模的一部分,执行将具有第二导电类型的掺杂剂注入半导体层中的第一注入,以在半导体层中形成PN结序列,PN结序列形成二极管。二极管从半导体层的上表面竖直延伸至绝缘层。
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