用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路
发布时间：2025-04-04 09:20:27 人气：13
用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010335378.2
申请日：
2020-04-24
授权公告号：
CN111863078B
授权公告日：
2025-04-04
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C16/08
分类号：
G11C16/08;G11C16/14;G11C16/30
国省代码：
FR0HARST
页数：
15
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-04-25 FR 1904337
主权项：
1.一种用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法,所述非易失性存储器(NVM)包括以存储器字的行和列组织的存储器平面,每个存储器字包括存储器单元,所述方法包括：在编程阶段期间,通过向不属于所选择的存储器字的所述存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压,对所述所选择的存储器字进行编程,其中每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管以及与所述状态晶体管串联的存取晶体管,所述存取晶体管被连接到相应位线；并且在所述编程阶段期间,向所选择的存储器单元的位线以外的位线以及未选择的行的字线施加所述第一非零正电压,其中同一行的所述存取晶体管的栅极被耦合到字线。
摘要：
本公开的实施例涉及用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路。公开了用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法和集成电路。在一个实施例中,集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面,每个存储器字包括存储器单元,并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置,该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。
查看法律状态
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