包括电荷存储区的像素电路
发布时间：2025-03-28 09:22:49 人气：6
包括电荷存储区的像素电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110472524.0
申请日：
2021-04-29
授权公告号：
CN113594190B
授权公告日：
2025-03-28
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F39/18
分类号：
H10F39/18;G01S17/08;G01S17/894
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
25
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-04-30 FR 2004324;2021-04-08 US 17/225,329
主权项：
1.一种像素电路,包括：光转化区；绝缘的垂直电极；以及至少一个电荷存储区；其中所述光转化区属于半导体衬底的第一部分；以及其中每个电荷存储区属于所述半导体衬底的第二部分,所述第二部分通过所述绝缘的垂直电极与所述半导体衬底的所述第一部分物理分离；其中所述绝缘的垂直电极从所述半导体衬底的第一面穿过所述半导体衬底,针对每个电荷存储区,所述像素电路还包括：第一掺杂区,与在所述第二部分中的所述电荷存储区接触；第二掺杂区,在所述第一部分中；栅极,放置在所述光转化区与所述第二掺杂区之间的所述半导体衬底的所述第一面上；以及电连接件,在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；其中所述绝缘的垂直电极被配置为针对每个电荷存储区,将包括所述光转化区和所述第二掺杂区的所述半导体衬底的所述第一部分与包括所述电荷存储区和所述第一掺杂区的所述半导体衬底的所述第二部分电绝缘并且光学绝缘。
摘要：
本公开的实施例涉及包括电荷存储区的像素电路。像素电路包括光转化区、绝缘的垂直电极以及至少一个电荷存储区。光转化区属于半导体衬底的第一部分,并且每个电荷存储区属于衬底的第二部分,该第二部分通过绝缘的垂直电极与衬底的第一部分物理分离。
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