包括双极晶体管的集成电路
发布时间：2025-03-12 12:41:08 人气：3
包括双极晶体管的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910272414.2
申请日：
2019-04-04
授权公告号：
CN110349953B
授权公告日：
2025-03-11
申请人：
意法半导体(克洛尔2)公司; 意法半导体(鲁塞)公司
地址：
法国克洛尔
发明人：
P·波伊文; J·J·法戈; E·佩蒂特普瑞兹; E·苏谢尔; O·韦伯
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/60
分类号：
H10D84/60;H10D84/03;H10B63/10
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
15
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2018-04-06 FR 1853043
主权项：
1.一种集成电路,包括：双极晶体管行,沿第一方向排列,包括：多个第一导电区域；第二导电区域；共用基极,位于所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；绝缘沟槽,与所述双极晶体管行中的每个双极晶体管接触；导电层,位于所述绝缘沟槽上,并且位于所述共用基极上,位于所述第一导电区域之间,所述导电层具有梳状件,所述梳状件的第一部分沿第一方向在所述绝缘沟槽上延伸,多个第二部分沿与所述第一方向垂直的第二方向在相邻的所述第一导电区之间延伸；以及间隔件层,位于所述导电层和所述第一导电区域之间。
摘要：
本公开的实施例涉及包括双极晶体管的集成电路。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路和方法。在一个实施例中,集成电路包括双极晶体管行,该双极晶体管行包括多个第一导电区域、第二导电区域以及共用基极,共用基极位于第一导电区域和第二导电区域之间。绝缘沟槽与双极晶体管行中的每个双极晶体管接触。导电层位于绝缘沟槽和共用基极上,位于第一导电区域之间。间隔件层位于导电层和第一导电区域之间。
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