图像传感器

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN201910610889.8

申请日：

2019-07-05

授权公告号：

CN110707112B

授权公告日：

2025-03-07

申请人：

意法半导体(克洛尔2)公司

地址：

法国克洛尔

发明人：

D·里多; A·克罗彻瑞

专辑：

工程科技Ⅱ辑

专题：

工业通用技术及设备

主分类号：

H10F39/12

分类号：

H10F39/12;H10F39/18;G01J1/44

国省代码：

FR0ISCLL

页数：

20

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华;董典红

优先权：

2018-07-09 FR 1856285

主权项：

1.一种多光谱图像传感器,包括：半导体层；和形成在所述半导体层的内部和顶部的多个像素,每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域,所述多个像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素,其中所述第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸,所述第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔,并且其中所述第二像素的半导体层的部分具有不同于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸,所述第二横向尺寸被选择为限定以不同于所述第一波长的第二波长谐振的横向腔。

摘要：

本申请涉及图像传感器。多光谱图像传感器包括半导体层和形成在半导体层内部和顶部的多个像素。每个像素包括形成在由外围绝缘壁横向限定的半导体层的部分中的有源光敏区域。像素包括第一类型的第一像素和第二类型的第二像素。第一像素的半导体层的部分具有第一横向尺寸,第一横向尺寸被选择为限定以第一波长谐振的横向腔,并且第二像素的半导体层的部分具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸,第二横向尺寸被选择为限定在不同于第一波长的第二波长谐振的横向腔。

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本领域科技成果与标准

• 科技成果

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科技成果共2条

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研究与应用

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• 本专利应用动态

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