图像传感器

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202010691031.1

申请日：

2020-07-17

授权公告号：

CN112242410B

授权公告日：

2025-02-11

申请人：

意法半导体(克洛尔2)公司

地址：

法国克洛尔

发明人：

F·罗伊; A·苏勒

专辑：

工程科技Ⅱ辑

专题：

工业通用技术及设备

主分类号：

H10F39/18

分类号：

H10F39/18

国省代码：

FR0ISCLL

页数：

35

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

2019-07-19 FR 1908191

主权项：

1.一种图像传感器,所述图像传感器包括多个像素,每个像素包括:第一导电类型的掺杂光敏区域,在半导体衬底中竖直地延伸；第一电荷收集区域,比所述掺杂光敏区域更重地掺杂有所述第一导电类型,所述第一电荷收集区域在所述衬底中从所述衬底的上表面竖直地延伸,并且被布置在所述掺杂光敏区域上方；以及竖直堆叠,包括竖直传输栅极和竖直电绝缘壁,所述竖直堆叠穿过所述衬底,并且与所述第一电荷收集区域接触,所述竖直传输栅极被布置在所述衬底的所述上表面处,并且比所述第一电荷收集区域更深地穿透到所述衬底中,其中所述竖直传输栅极包括栅极电极和栅极电介质,所述栅极电极和所述栅极电介质被布置在所述竖直电绝缘壁上；以及竖直电绝缘结构,所述竖直电绝缘结构穿过所述衬底并且横向地界定所述掺杂光敏区域和所述像素,其中所述竖直电绝缘壁是所述竖直电绝缘结构的一部分。

摘要：

本公开涉及一种图像传感器,该图像传感器包括多个像素,每个像素包括：在半导体衬底中竖直地延伸的第一导电类型的掺杂光敏区域；比光敏区域更重地掺杂有第一导电类型的电荷收集区域,电荷收集区域在衬底中从衬底的上表面竖直地延伸并且被布置在光敏区域上方；以及竖直堆叠,其包括竖直传输栅极和竖直电绝缘壁,该堆叠穿过衬底并与电荷收集区域接触,该栅极被布置在衬底的上表面侧上并且比电荷收集区域更深地穿透到衬底中。

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本领域科技成果与标准

• 科技成果

• 相关标准

科技成果共2条

• [1] 数码相机关键主件. 国家科技成果.

• [2] 数字相机. 国家科技成果.

研究与应用

• 本专利研制背景

• 本专利应用动态

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