用于产生二极管的方法
发布时间：2025-02-07 11:20:18 人气：4
用于产生二极管的方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010584640.7
申请日：
2020-06-23
授权公告号：
CN112151372B
授权公告日：
2025-02-07
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D8/01
分类号：
H10D8/01;H10D62/10;H10D84/03
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
38
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-06-28 FR 1907150
主权项：
1.一种用于共同地产生半导体器件的方法,包括在公共衬底上共同地产生双极晶体管和可变电容二极管,其中共同地产生包括：在衬底的上表面之上形成包括第一层、第二层、第三层和第四层的堆叠；在所述第二层、所述第三层和所述第四层中制成第一开口和第二开口；在所述第一开口和所述第二开口内侧产生第一间隔件；以及在所述第一层中制成第三开口和第四开口。
摘要：
本公开涉及一种用于产生二极管的方法。提供了一种电路,包括至少一个双极晶体管和至少一个可变电容二极管。使用一种方法来制造电路,其中在共同共用的衬底上共同地产生双极晶体管和可变电容二极管。
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