具有电荷转移和电荷存储能力的竖直传输门
发布时间：2024-11-29 11:31:03 人气：2
具有电荷转移和电荷存储能力的竖直传输门
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910034935.4
申请日：
2019-01-15
授权公告号：
CN110098207B
授权公告日：
2024-11-29
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/146
分类号：
H01L27/146
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
32
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;吕世磊
优先权：
2018-01-29 US 15/882,482
主权项：
1.一种图像传感器,包括：半导体区域；第一掺杂区域,设置在所述半导体区域之上；环形阱,设置在所述第一掺杂区域之上并且包围所述第一掺杂区域的部分,所述环形阱由被绝缘体包围的导体界定,所述环形阱包括所述绝缘体和所述导体,所述导体耦合到电压端子；第二掺杂区域,被形成在所述环形阱内并且设置在所述第一掺杂区域之上,所述第二掺杂区域比所述第一掺杂区域更重地被掺杂并且掺杂类型与所述第一掺杂区域相同；以及第三掺杂区域,设置在所述第二掺杂区域之上,所述第三掺杂区域比所述第二掺杂区域更重地被掺杂并且掺杂类型与所述第一掺杂区域相同,所述环形阱内的所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域形成势垒,所述势垒用于控制电荷载流子从所述第一掺杂区域到所述第三掺杂区域的转移。
摘要：
在实施例中,一种图像传感器包括半导体区域；第一掺杂区域,设置在半导体区域之上；环形阱,设置在第一掺杂区域之上并且包围第一掺杂区域的部分；第二掺杂区域,形成在环形阱内并且设置在第一掺杂区域之上；以及第三掺杂区域,设置在第二掺杂区域之上。环形阱由被绝缘体包围的导体界定。导体连接到电压端子。第三掺杂区域比第二掺杂区域更重地被掺杂,第二掺杂区域比第一区域更重地被掺杂,并且都是相同的掺杂类型。环形阱内的第一掺杂区域和第二掺杂区域形成势垒,该势垒用于控制电荷载流子从第一掺杂区域到第三掺杂区域的转移。
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