制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法
发布时间：2024-11-22 11:46:44 人气：2
制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110127097.2
申请日：
2021-01-29
授权公告号：
CN113206040B
授权公告日：
2024-11-22
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L21/8228
分类号：
H01L21/8228;H01L29/06;H01L27/082
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
12
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2020-01-30 FR 2000903
主权项：
1.一种用于制造微电子器件的方法,所述微电子器件包括PNP晶体管和NPN晶体管,所述方法包括：在P型掺杂的半导体衬底中形成所述PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在所述N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在所述半导体衬底上外延生长第一外延半导体层；在外延生长所述第一外延半导体层之后,形成所述NPN晶体管的N+掺杂阱,所述N+掺杂阱至少部分地延伸到所述第一外延半导体层中；在形成所述N+掺杂阱之后,在所述第一外延半导体层和所述N+掺杂阱两者上并且与所述第一外延半导体层和所述N+掺杂阱两者接触地外延生长第二外延半导体层；在所述第二外延半导体层中形成P掺杂区,所述P掺杂区被配置为形成所述PNP晶体管的集电极,其中所述P掺杂区与所述N+掺杂隔离阱中的所述P+掺杂区电接触；形成所述PNP晶体管的基极,所述PNP晶体管的基极与形成所述PNP晶体管的集电极的所述P掺杂区接触；在所述第二外延半导体层中形成N掺杂区,所述N掺杂区被配置为形成所述NPN晶体管的集电极,其中所述N掺杂区与所述N+掺杂阱电接触；以及形成所述NPN晶体管的基极,所述NPN晶体管的基极与形成所述NPN晶体管的集电极的所述N掺杂区接触。
摘要：
本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件,包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱,其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区,该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极,并且该P掺杂区与P+掺杂区电接触；以及在第二半导体层中形成N掺杂区,该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极,并且该N掺杂区与N+掺杂阱电接触。
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[1] 制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法. J·日默内·马蒂内.中国专利:CN113206040A,2021-08-03
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