背照式图像传感器

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202010033298.1

申请日：

2020-01-13

授权公告号：

CN111435670B

授权公告日：

2024-11-19

申请人：

意法半导体(克洛尔2)公司

地址：

法国克洛尔

发明人：

L·盖伊; F·拉兰尼; Y·昂力翁; F·居亚代; P·福特内奥; A·塞纳德

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L27/146

分类号：

H01L27/146

国省代码：

FR0ISCLL

页数：

18

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

2019-01-14 FR 1900323

主权项：

1.一种制造图像传感器的方法,包括：形成具有前侧和背侧的结构,所述结构包括半导体层以及电容性绝缘壁,所述半导体层从所述结构的所述前侧延伸到所述结构的所述背侧,所述电容性绝缘壁从所述结构的所述前侧到所述结构的所述背侧延伸穿过所述半导体层,所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁,所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁被导体或半导体材料的区域分离；从所述结构的所述背侧选择性地刻蚀所述半导体层和所述导体或半导体材料的所述区域的部分,在所述刻蚀之后,所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁中的每个绝缘壁具有向外突出超过所述半导体层的背侧和所述导体或半导体材料的所述区域的背侧的部分；在所述结构的所述背侧上沉积电介质钝化层；以及局部地去除所述电介质钝化层的部分,所述电介质钝化层的所述部分在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的突出的所述部分的背侧上。

摘要：

本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构,该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和第二绝缘壁。半导体层以及导体或半导体材料的区域的部分被选择性地刻蚀,并且第一绝缘壁和第二绝缘壁具有向外突出超过半导体层的背侧和导体或半导体材料的区域的背侧的部分。电介质钝化层被沉积在结构的背侧上,并且在第一和第二绝缘壁的突出部分的背侧上的电介质钝化层的部分被局部地去除。

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