​设置有防止逆向工程的诱饵的集成电路和对应的制造工艺

设置有防止逆向工程的诱饵的集成电路和对应的制造工艺

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN201910169156.5

申请日：

2019-03-06

授权公告号：

CN110246839B

授权公告日：

2024-11-15

申请人：

意法半导体(鲁塞)公司

地址：

法国鲁塞

发明人：

A·马扎基; M·利萨特

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L27/06

分类号：

H01L27/06;H01L21/77

国省代码：

FR0HARST

页数：

20

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华;吕世磊

优先权：

2018-03-07 FR 1851957

主权项：

1.一种集成电路,包括：第一域,被配置为以第一电源电压被供电,并且包括至少一个第一晶体管,所述至少一个第一晶体管包括第一栅极区和第一栅极电介质区；以及第二域,被配置为以大于所述第一电源电压的第二电源电压被供电,并且包括至少一个第二晶体管,所述至少一个第二晶体管包括浮置栅极区、第二栅极区和位于所述浮置栅极区与所述第二栅极区之间的第二栅极电介质区,其中所述第二栅极区被配置为以高于所述第一电源电压的电压被偏置；其中所述第一栅极电介质区和所述第二栅极电介质区具有相同的成分,并且被配置成使得所述至少一个第一晶体管针对以低于或等于所述第一电源电压的电压对所述第一栅极区的任何偏置而被关断。

摘要：

集成电路包括以第一电源电压供电的第一域。在第一域中包括的第一晶体管包括第一栅极区和第一栅极电介质区。第二域以第二电源电压供电,并且包括具有第二栅极区和第二栅极电介质区的第二晶体管,第二栅极区被以高于所述第一电源电压的电压被偏置。所述第一和第二栅极电介质区具有相同的成分,其中该成分响应于低于或等于所述第一电源电压的栅极偏置电压将第一晶体管配置为永久关断状态。所述第二晶体管是浮置栅极存储器单元晶体管,其中第二栅极电介质区位于浮置栅极和控制栅极之间。

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