包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺
发布时间：2024-07-19 08:41:16 人气：3
包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910132573.2
申请日：
2019-02-22
授权公告号：
CN110190064B
授权公告日：
2024-07-19
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/12
分类号：
H01L27/12;H01L21/762
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
12
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;董典红
优先权：
2018-02-23 FR 1851615
主权项：
1.一种集成电路,包括衬底,所述衬底包括至少一个第一域和不同于所述至少一个第一域的至少一个第二域,其中所述衬底包含富陷阱区域,所述富陷阱区域存在于所述至少一个第二域的位置中并且不存在于所述至少一个第一域的位置中,其中,所述至少一个第一域包含至少一个非射频组件,并且所述至少一个第二域包含至少一个射频组件,并且其中,所述衬底是绝缘体上硅衬底,所述绝缘体上硅衬底在所述至少一个第一域中包括半导体膜、载体衬底的第一部分和位于所述载体衬底的所述第一部分和所述半导体膜之间的掩埋绝缘层,并且所述绝缘体上硅衬底在所述第二域中包括所述载体衬底的第二部分,所述第二部分被所述富陷阱区域覆盖,其中所述半导体膜和所述掩埋绝缘层不延伸到所述至少一个第二域中。
摘要：
本申请涉及包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺。提供一种集成电路,包括衬底,该衬底具有至少一个第一域和与至少一个第一域不同的至少一个第二域。在衬底中仅在至少一个第二域的位置处提供富陷阱区域。至少一个第一域的位置不包括富陷阱区域。
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