用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统
发布时间：2024-07-12 08:42:04 人气：3
用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910936527.8
申请日：
2016-02-23
授权公告号：
CN110706730B
授权公告日：
2024-07-12
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C16/30
分类号：
G11C16/30;G11C16/32;G11C16/34
国省代码：
FR0HARST
页数：
13
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2015-08-06 FR 1557576
分案原申请号：
201610099467.5 2016.02.23
主权项：
1.一种用于检查高电压发生器的输入电压的方法,包括：激活所述高电压发生器以产生电压脉冲,所述高电压发生器从电源接收所述高电压发生器的所述输入电压；通过确定所述高电压发生器的输出达到预定电压阈值的第一时间或者确定所述电压脉冲的稳定阶段的第二时间来分析所述电压脉冲的形状；以及基于所述分析所述电压脉冲的所述形状,确定所述高电压发生器的所述输入电压是低或者良好。
摘要：
本公开的实施例涉及用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统。一种用于在电可擦除可编程只读存储器类型的至少一个存储器单元中写入至少一个数据的操作包括：至少一个通过相应的擦除或编程脉冲来对单元进行擦除或编程的步骤。写入操作的正确或错误执行通过在相应的擦除或编程步骤期间分析擦除或编程脉冲的形状来进行检查。该分析的结果表示写入操作被正确或错误地执行。
查看法律状态
相似专利
[1] 电荷泵电路及能在读操作时进行放电的EEPROM. 杨翼.中国专利:CN104795105A,2015-07-22
[2] 一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法. 刘吉平;唐伟;张怀东.中国专利:CN106297887A,2017-01-04
[3] 用于EEPROM的高压斜率反馈控制电路和方法. 陈永耀;倪昊.中国专利:CN107527657A,2017-12-29
[4] EEPROM的供电电路及EEPROM. 姜婷;沈韶清;张文骐;丁迪;路静;朱小红;龚庆.中国专利:CN107610734A,2018-01-19
[5] 一种EEPROM的保护电路. 徐志锋;刘山山.中国专利:CN207558429U,2018-06-29
[6] 用于管理EEPROM存储器单元中的数据的写入周期的方法和系统. F·塔耶;M·巴蒂斯塔.中国专利:CN110706730A,2020-01-17
[7] 一种提升EEPROM存储器编程精度的升压电路及其方法. 刘吉平;唐伟;张怀东.中国专利:CN106297887B,2020-05-19
[8] EEPROM的供电电路及EEPROM. 姜婷;沈韶清;张文骐;丁迪;路静;朱小红;龚庆.中国专利:CN107610734B,2020-12-25
[9] 用于EEPROM的高压斜率反馈控制电路和方法. 陈永耀;倪昊.中国专利:CN107527657B,2021-02-05
[10] 电荷泵电路及能在读操作时进行放电的EEPROM. 杨翼.中国专利:CN104795105B,2018-07-31
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共1条
[1] 0.18um EEPROM存储器工艺开发. 国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共352条
[1] EEPROM数据误改写原因分析与解决方案研究. 廖荣华.日用电器,2024(11)
[2] 基于微控制器的FLASH模拟EEPROM的设计. 韩金霞;孙方霞.广东轻工职业技术学院学报,2019(04)
[3] Estimates of EEPROM Device Lifetime. 李蕾蕾;于宗光;郝跃.Tsinghua Science and Technology,2011(02)
[4] 文件系统在EEPROM中的应用. 刘辉;蒋朝根.单片机与嵌入式系统应用,2010(02)
[5] 并口EEPROM芯片研发中的验证策略研究. 况野;李国;阙旻;余葛伟;杨东坪.中国集成电路,2022(12)
[6] EEPROM存储数据耗时问题探究分析. 石永慧.山西电子技术,2023(04)
[7] 基于栅氧化层损伤EEPROM的失效分析. 赵扬;陈燕宁;单书珊;赵明敏.半导体技术,2020(01)
[8] 基于FPGA的串口读/写EEPROM控制器设计. 王涌;肖顺文;郑瑞;陈韵文;罗春梅.信息与电脑(理论版),2020(12)
[9] 延长EEPROM使用寿命的均匀磨损算法. 濮建福;李世建;叶恒.电子设计工程,2016(08)
[10] 基于闪存设备分区的新型虚拟EEPROM设备的设计与研究. 卫兵;郭玉堂;华玉鹏;张磊.计算机应用,2014(05)
硕博共26条
[1] 适用于压力传感器的EEPROM的研究与设计. 韩朝伟.湖南大学,2017
[2] RFID中可靠低功耗EEPROM存储器关键电路的研究. 向姝蓉.西南交通大学,2018
[3] 基于金属氧化物TFT的EEPROM读写电路模块研究. 陈俊伟.华南理工大学,2019
[4] 串行EEPROM研究与设计. 王志鸿.合肥工业大学,2005
[5] 2K高速低功耗EEPROM研究与设计. 李天宇.辽宁大学,2015
[6] 0.18um EEPROM产品读写问题分析及解决途径. 代洪刚.复旦大学,2011
[7] 基于超深亚微米EEPROM的器件结构和工艺实现. 雷蕾.复旦大学,2014
[8] 1.2um EEPROM低电压下工作的失效分析与工艺优化. 钱国平.上海交通大学,2007
[9] EEPROM中栅氧化层的可靠性研究. 张月.西安电子科技大学,2009
[10] 一种针对近场通信串行EEPROM测试方法的研究. 袁翔.上海交通大学,2019
会议共31条
[1] 一种便于HDMI音视频接收设备更新EEPROM的设计方法. 张臣.天津市电子工业协会2020年年会,2020
[2] A MICROCONTROLLER WITH 100K BYTES EMBEDDED FLASH EEPROM. Clinton Kuo;Thomas Toms;Mark Weidner;Henry Choe;Danny Shum;Ko-Min Chang;Philip Smith.1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,1995
[3] Optimal Ramped-Gate Soft Programming of Over-Erased Flash EEPROM Cells at Given Current. Chang-Ki Baek;Dae M.Kim.2004 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology（ICSICT 2004）,2004
[4] A Novel Single Poly EEPROM Cell Structure On Thin Oxide Tunnel Technology. Tao Ren,Liyang Pan,Zhihong Liu,and Jun Zhu Institute of Microelectronics,Tsinghua University Beijing,100084,China.2004 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology（ICSICT 2004）,2004
[5] An Investigation of Endurance Characteristic Using PDO Method in FLOTOX EEPROM Structures. Bing Xie,Yandong He,Mingzhen Xu and Changhua Tan Department of Microelectronics,Peking University,Beijing,100871,China.2004 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology（ICSICT 2004）,2004
[6] Low Power Embedded EEPROM Design for MCU in Battery-less Tire Pressure Monitoring System. Chao-Jun Chi;Li-Ji Wu;Xiang-Min Zhang;Li-Yang Pan.2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2012),2012
[7] SPICE MODEL of FLOTOX EEPROM. Shen Likun;Zheng Zhengyu.1998 3rd International Conference on ASIC,1998
[8] A New Model for EEPROM Cell. Zhiliang Hong.1998 5th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,1998
[9] Circuits and Implementation of a Low-Power Embedded EEPROM Memory. LIU Dong-Sheng;ZOU Xue-Cheng;ZHANG Fan;DENG Min.2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2006
[10] EEPROM瞬时剂量率效应实验研究. 王桂珍;齐超;林东生;白小燕;杨善潮;李瑞宾;刘岩;金晓明.北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会,2014
报纸共2条
[1] 华虹NEC推0.18微米EEPROM IP. 万林.电子资讯时报,2007-07-23
