垂直晶闸管
发布时间：2024-06-21 10:29:54 人气：1
垂直晶闸管
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201911319805.1
申请日：
2019-12-19
授权公告号：
CN111354781B
授权公告日：
2024-06-21
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L29/08
分类号：
H01L29/08;H01L29/74
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
17
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2018-12-20 FR 1873566
主权项：
1.一种晶闸管,包括：交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠；其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的一部分中断,所述第三半导体区域的所述一部分形成所述晶闸管的栅极区；栅极金属化,所述栅极金属化与所述栅极区中的所述第三半导体区域的一部分的上表面接触；以及其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的另外部分中断,所述第三半导体区域的所述另外部分形成连续通道,所述连续通道从所述栅极金属化与所述第三半导体区域接触的位置朝向所述第四半导体区域的横向边缘纵向延伸远离；以及其中所述第三半导体区域的所述另外部分的上表面与所述第四半导体区域的上表面齐平,并且所述另外部分的所述上表面沿着所述连续通道的整个长度从所述位置朝向所述横向边缘延伸。
摘要：
本公开的实施例涉及垂直晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断,该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。
查看法律状态
相似专利
[1] 具有改进的等离子体散布的晶闸管. M.贝里尼;J.沃贝克;P.科姆明.中国专利:CN108028266A,2018-05-11
[2] 具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管. 曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇.中国专利:CN209461467U,2019-10-01
[3] 垂直晶闸管. S·梅纳尔;L·让.中国专利:CN111354781A,2020-06-30
[4] 晶闸管. S·梅纳尔;L·让.中国专利:CN211929493U,2020-11-13
[5] 相控晶闸管. M.贝利尼;J.沃贝克伊.中国专利:CN107078154B,2021-01-26
[6] 具有改进的等离子体散布的晶闸管. M.贝里尼;J.沃贝克;P.科姆明.中国专利:CN108028266B,2021-01-26
[7] 具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管及其制造方法. 曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇.中国专利:CN109686786B,2024-06-11
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共45条
[1] 大功率串联晶闸管在线检测与保护装置. 王斌;刘志远;彭军华.国家科技成果.
[2] 一种触发空闲时补给能量的晶闸管强触发电路. 王斌;刘志远;彭军华.国家科技成果.
[3] 一种高效率的晶闸管换流阀组件测试系统及测试方法. 刘隆晨;庞磊;汪万平;张星海;刘凡;李亚伟.国家科技成果.
[4] 新型结构高压晶闸管技术的研发与应用. 王日新;王民安;饶祖刚;叶民强;汪杏娟;郑春鸣;项建辉;黄永辉;王志亮.国家科技成果.
[5] 晶闸管均压测试技术及装置研发. 刘志远;叶涛;李宁;杜巍;陈瑞;朱颖;杨稼祥;包彤;唐鑫;王玄之;马杨;杨子婧;丁蕴之;白明俊;罗海贵.国家科技成果.
[6] KP1000A晶闸管. 国家科技成果.
[7] 4000～4500A/8500V全压接6英寸特大功率晶闸管. 王正鸣;陆剑秋;白继彬;杜凯;白杰;马骏;马宁强;高建峰;吴涛;刘东;胡冰丽;陈黄鹂;耿涛;蔡彬;张刚琦.国家科技成果.
[8] GTO组件测试技术和设备的研究. 国家科技成果.
[9] 4000A/8000V焊接型6英寸特大功率晶闸管. 王正鸣;陆剑秋;后小霞;高山城;罗艳红;张猛;陈黄鹂;马宁强;王双谋;袁渊;刘东;刘可文;罗希;种晓辉;武江涛.国家科技成果.
[10] 大功率快速晶闸管设计技术. 张桥;颜家圣;吴拥军;刘鹏.国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共848条
[1] 晶闸管低压大电流并联应用的研究. 彭军华;刘栋;窦金龙.电子质量,2024(11)
[2] 超高速脉冲晶闸管特性研究. 张桥;肖彦;黄智;任丽.电子制作,2023(08)
[3] 贴片晶闸管检测技巧及使用注意事项. 刘文彬.家电检修技术,2012(09)
[4] 温控晶闸管的检测方法. 张新.家电检修技术,2010(24)
[5] 光晶闸管介绍及应用(上). 孙成.家电检修技术,2007(21)
[6] 光晶闸管介绍及应用(下). 孙成.家电检修技术,2007(23)
[7] 短路发射极是怎样影响晶闸管综合性能的. 郑媛.电气技术,2006(03)
[8] 晶闸管串联应用时均压配对方法的探讨. 屈春华.电力电子技术,1996(03)
[9] 提高晶闸管触发与封锁性能的研究. 梁波,于铁利.辽宁工学院学报,1995(01)
[10] 更换晶闸管前一定要检查损坏的原因. 郭维兴.电工技术,1995(01)
硕博共64条
[1] 6500V碳化硅发射极关断晶闸管仿真和特性的研究. 张渊.湖南大学,2017
[2] 6kV/3kA逆导型门极换流晶闸管的研究. 张婷婷.西安电子科技大学,2018
[3] 基于Pspice的SiC晶闸管等效电路模型研究. 李佳琪.西安理工大学,2019
[4] 高压光控脉冲晶闸管设计与实现. 王凌云.电子科技大学,2018
[5] 晶闸管结终端结构的仿真研究. 张璐.西安电子科技大学,2019
[6] 重频大浪涌条件下晶闸管热特性研究. 黄凯.西安电子科技大学,2019
[7] 用于SPIC的智能晶闸管器件研究. 陈雪.西南交通大学,2019
[8] 脉冲晶闸管的放电特性及热特性研究. 鲁万新.华中科技大学,2011
[9] 高压脉冲晶闸管热特性研究. 陈旭.华中科技大学,2015
[10] 功率晶闸管的暂态热特性研究及应用. 董汉彬.华中科技大学,2012
会议共25条
[1] 高压晶闸管表面造型技术的改进详细摘要. 潘峰;韩娜;潘福泉.2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会,2008
[2] 基于工作过程的《晶闸管直流调压、调速》课程开发[A]. 梁镇杰..2014
[3] 光触发晶闸管与高压直流输电. 田方.中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会,2002
[4] 高功率晶闸管开关过压保护的实验研究. 苌磊;杨建华;刘列.“创新——核科学技术发展的不竭源泉”——中国核学会2009年学术年会,2009
[5] 晶闸管智能模块. 曹杰;吴济钧.中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会,2002
[6] 晶闸管智能模块在三相异步电动机节能技术中的应用. 张庆范;崔纳新;王锦泽;曹杰.中国电工技术学会电力电子学会五届三次理事会议暨学术报告会,2001
[7] 晶闸管移相式软起动原理质疑. 刘志斌.中国电工技术学会低压电器专业委员会第十三届学术年会,2007
[8] 特高压直流输电换流阀用更大尺寸高压晶闸管的研制. 操国宏;朱为为.全球能源互联网与大学创新发展论坛,2018
[9] 最佳结构6英寸UHVDC晶闸管. 王正鸣;陆剑秋.2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会,2008
[10] 5000V逆导通型门极换向晶闸管(RC-GCTs)的设计考虑. C.L.Zhang;E.D.Kim;S.C.Kim;J.H.Li.中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会,2002
报纸共1条
[1] 南车株洲所高压晶闸管助力世界最大直流输电工程. 俞慧友;曹婷.科技日报,2014-02-24
