集成的熔丝器件
发布时间：2024-02-11 15:33:02 人气：9
集成的熔丝器件
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201710775776.4
申请日：
2017-08-31
授权公告号：
CN108538827B
授权公告日：
2024-02-09
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/02
分类号：
H01L27/02
国省代码：
FR0HARST
页数：
16
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;罗利娜
优先权：
2017-03-01 FR 1751665
主权项：
1.一种集成电路,包括熔丝器件,所述熔丝器件被配置为从电闭合状态转移到电断开状态,其中所述熔丝器件包括电绝缘PN结半导体区域,所述电绝缘PN结半导体区域被配置为响应于反向偏置电压的施加而以反向模式进行操作,当所施加的反向偏置电压小于电压阈值时,所述PN结半导体区域操作以允许电流从其中通过,并且当所施加的反向偏置电压大于或等于所述电压阈值时,所述PN结半导体区域以足够高的电阻值操作以防止电流从其中通过。
摘要：
熔丝器件由与集成电路的其他部分电绝缘的PN结半导体区域形成。熔丝器件包括具有P型导电性的第一半导体区以及具有N型导电性的第二半导体区,第一半导体区与第二半导体区在PN结处相接触。第一和第二导电接触区分别被提供在第一和第二半导体区上,而在不与PN结相接触。第一和第二半导体区中的一个半导体区被配置为具有非均质浓度的掺杂剂,其中具有较低掺杂剂浓度值的区域位于PN结处,并且具有较高掺杂剂浓度值的区域位于对应的导电接触区处。
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本领域科技成果与标准
科技成果
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研究与应用
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本专利应用动态
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