用于在易失性存储器中写入的方法和对应的集成电路
发布时间：2023-12-15 12:46:08 人气：8
用于在易失性存储器中写入的方法和对应的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011308495.6
申请日：
2020-11-20
授权公告号：
CN112825028B
授权公告日：
2023-12-15
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G06F3/06
分类号：
G06F3/06;G06F15/78
国省代码：
FR0H
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
罗利娜
优先权：
2019-11-21 FR 1913001
主权项：
1.一种用于写入易失性存储器的方法,所述方法包括：接收用于向所述存储器写入的第一请求；第一准备待写入所述存储器的第一数据,所述第一准备包括计算第一错误校正码；将所述第一数据第一存储在缓冲寄存器中；以及响应于在所述第一存储之后没有接收到用于向所述存储器写入或从所述存储器读取的新请求,将存储在所述缓冲寄存器中的所述第一数据写入所述存储器。
摘要：
本公开的实施例涉及用于在易失性存储器中写入的方法和对应的集成电路。一种用于写入易失性存储器的实施例方法,包括：至少接收向存储器写入的请求,以及响应于向存储器写入的每个请求：准备待写入存储器的数据,这包括计算错误校正码；将待写入存储器的数据存储在缓冲寄存器中；以及,如果在存储之后没有接收到向存储器写入或从存储器读取的新请求,则将存储在缓冲寄存器中的待写入的数据写入存储器。
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