用于平面视薄片制备的沿面气体辅助蚀刻
发布时间：2023-12-12 12:50:08 人气：8
用于平面视薄片制备的沿面气体辅助蚀刻
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201810554731.9
申请日：
2018-06-01
授权公告号：
CN108982919B
授权公告日：
2023-12-12
申请人：
FEI 公司
地址：
美国俄勒冈州
发明人：
N.T.弗兰科; K.曼尼; C.鲁; J.克里斯蒂安; J.布莱克伍德
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
仪器仪表工业
主分类号：
G01Q30/20
分类号：
G01Q30/20;G01Q30/02
国省代码：
US0O
页数：
34
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
张健;申屠伟进
优先权：
2017-06-02 US 62/514248
主权项：
1.一种从提取自半导体工件的样本制造包括包含感兴趣区域的电子透射部分的薄片的方法,所述半导体工件具有平行于其表面的多个层,所述方法包括：朝向工件引导聚焦离子束以从工件切割样本；通过沿边铣削朝向样本引导平行于多个层取向的聚焦离子束以削薄样本来形成薄片；在薄片的表面处提供蚀刻辅助气体；朝向薄片引导垂直于多个层取向的聚焦离子束以在存在蚀刻辅助气体的情况下削薄薄片的一部分来产生包括感兴趣区域的电子透明部分；以及生成所述薄片的至少一个沿面离子束图像,其中朝向薄片引导垂直于多个层取向的聚焦离子束以在存在蚀刻辅助气体的情况下削薄所述薄片的一部分包括使所述薄片的一部分的表面平面化以去除由所述沿边铣削导致的帘状物和其他产物。
摘要：
本发明涉及用于平面视薄片制备的沿面气体辅助蚀刻。一种用于从多层微电子器件制备位点特定的平面视薄片的方法。与蚀刻辅助气体一起朝向器件的最上层引导的聚焦离子束去除至少该最上层并从而暴露目标区域之上的或包括目标区域的下层,位点特定的平面视薄片要从所述目标区域制备,其中聚焦离子束在去除最上层以暴露下层时处于沿面取向。在优选实施例中,蚀刻辅助气体包括硝基乙酸甲酯。在替代实施例中,蚀刻辅助气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝基乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝基乙酸丙酯、硝乙酸乙酯、甲氧基乙酸甲酯和甲氧基乙酰氯。
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