并联MOS晶体管
发布时间：2023-08-26 09:38:51 人气：9
并联MOS晶体管
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201810928981.4
申请日：
2018-08-15
授权公告号：
CN109411471B
授权公告日：
2023-08-25
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/088
分类号：
H01L27/088;H01L27/02
国省代码：
FR
页数：
10
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2017-08-16 FR 1757700
主权项：
1.一种电子芯片,包括：多个第一晶体管,彼此并联电耦合；多个第一隔离沟槽,所述第一晶体管通过所述第一隔离沟槽彼此分开,所述第一隔离沟槽中的每一个具有深度和最大宽度,其中所述第一隔离沟槽的深度是最大宽度的函数；第二隔离沟槽,与所述多个第一隔离沟槽相邻,所述第二隔离沟槽所具有的深度大于所述第一隔离沟槽的深度,并且所述第二隔离沟槽所具有的最大宽度大于所述第一隔离沟槽的最大宽度；以及多个第二晶体管,彼此并联电耦合,其中所述多个第一晶体管一起形成第一等效晶体管,并且所述多个第二晶体管一起形成第二等效晶体管。
摘要：
本公开的实施例涉及并联MOS晶体管。提供一种电子芯片,其包括彼此并联电耦合的多个第一晶体管。多个第一隔离沟槽被包括在电子芯片中,并且第一晶体管通过第一隔离沟槽彼此分开。每个第一隔离沟槽具有深度和最大宽度,并且深度取决于最大宽度或者是最大宽度的函数。
查看法律状态
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