带电粒子束源
发布时间:2023-05-31 09:53:57 人气:13
带电粒子束源
专利类型:
发明授权
申请(专利)号:
CN202110305667.2
申请日:
2021-03-23
授权公告号:
CN113451092B
授权公告日:
2023-05-30
申请人:
FEI 公司
地址:
美国俄勒冈州
发明人:
专辑:
信息科技
专题:
无线电电子学
主分类号:
H01J37/065
分类号:
H01J37/065;H01J37/15;H01J37/26
国省代码:
US
页数:
22
代理机构:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人:
张凌苗;周学斌
优先权:
2020-03-24 US 16/828571
主权项:
1.一种带电粒子束源,其包括:导电支撑构件,所述导电支撑构件耦合到底座;安装构件,所述安装构件耦合到所述支撑构件并且限定孔,所述安装构件进一步包括开口,所述开口是限定在与所述孔连通的所述安装构件的侧壁中的通道,所述通道在朝向所述支撑构件的方向上从所述安装构件的自由端偏移;以及发射器构件,所述发射器构件接纳在所述孔中且通过围绕所述孔中的所述发射器构件流动的固定剂材料层保持,其中所述固定剂材料层的固定剂材料接纳在所述通道中。
摘要:
一种例如在电子显微镜中使用的带电粒子束源可包含:导电支撑构件,其联接到基座;安装构件,其联接到所述支撑构件且限定孔;以及发射器构件,其收纳在所述孔中且通过围绕所述孔中的所述发射器构件流动的固定液材料层保持。
查看法律状态
相似专利
未找到相关数据
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
未找到相关数据
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共19条
[1] 氮原子离子束源的设计研制与应用. 王培元,沈宏,秦宗益,应萱同,王培南.真空科学与技术,2003(01)
[3] 新型分子束外延束源快门的研制. 朱绪燃.真空与低温,1989(02)
[4] 新型电子束源──虚火花放电室设计. 朱俊彪,王明常,王之江.光学学报,1995(05)
[5] 虚火花电子束源研制成功. 王明常,朱俊彪,王之江,张立芬,陆载通,陆宾,冯诚士,黄羽.周慧芬.光学学报,1995(02)
[6] 一种分子束源组件及其设计考虑. 江明珞.真空科学与技术,1982(04)
[7] 束源炉结构及布局对分子束外延薄膜材料均匀性影响的仿真. 陶先童;段莹瑞;李壮壮;宋立媛;杨春章;杨晋;李艳辉;孔金丞;赵俊;姬荣斌;王善力.真空科学与技术学报
[8] 金属原子束源及束强度监测. 金越春;孙天阶;孙本凡.真空科学与技术,1984(02)
[9] 高性能分子束外延用束源炉的研制. 龚欣;陈峰武;吕文利;陈丹■;周亮;龚肖.电子工业专用设备,2023(04)
[10] 基于Marx发生器的高压脉冲电子束源的设计. 古亮;陈龙;尹泽龙;孙军.电子世界,2017(21)
硕博共4条
[1] 分子束外延设备中束源炉结构设计与成膜过程研究. 尹港迎.西安电子科技大学,2022
[2] 强流脉冲电子束源高电压产生及控制研究. 于志新.重庆理工大学,2022
[3] 脉冲电子束源控制系统的研究与设计. 谭清月.重庆理工大学,2020
[4] 激光爆破法高速氧束源的研制. 王黑龙.大连海事大学,2013
会议共1条
[1] 一种基于薄膜开关和Blumlein平板双传输线的快前沿电子束源. 陈玉兰;曾正中;张众;马莲英;王海洋;尹佳辉.四川省电子学会高能电子学专业委员会第四届学术交流会,2005
