公开信息

非易失性存储器及其数据擦除方法

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202210341515.2

申请日：

2022-03-29

授权公告号：

CN114783493B

授权公告日：

2026-08-07

申请人：

长江存储科技有限责任公司

地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

发明人：

贾建权; 靳磊

专辑：

信息科技

专题：

计算机硬件技术

主分类号：

G11C16/16

分类号：

G11C16/16

国省代码：

42

页数：

24

代理机构：

北京英思普睿知识产权代理有限公司

代理人：

刘莹;聂国斌

主权项：

1.一种非易失性存储器,其特征在于,所述非易失性存储器包括：存储阵列,形成在衬底上并包括多个存储块,所述存储块包括由多个存储单元连接至同一位线形成的存储单元串,所述存储单元串包括设置在所述位线与上选择栅晶体管之间的上虚拟字线层；以及外围电路,所述外围电路与所述存储阵列耦接,并被配置为控制以：对所选定的存储单元串的所述位线施加擦除电压,并对所述上虚拟字线层施加低电平保持电压,且对所述上选择栅晶体管不施加低电平保持电压；在所述擦除电压到达其中间电平之后,关断施加在所述上虚拟字线层上的所述低电平保持电压,以对选定的存储块进行栅极致漏极泄漏擦除。

摘要：

本申请公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。所述非易失性存储器包括：存储阵列,形成在衬底上并包括多个存储块,所述存储块包括由多个存储单元连接至同一位线形成的存储单元串,所述存储单元串包括设置在所述位线与上选择栅晶体管之间的上虚拟字线层；以及外围电路,所述外围电路与所述存储阵列耦接,并被配置为控制以：在数据擦除操作期间,在所述上虚拟字线层附近生成栅极致漏极泄漏电流,以对选定的存储块进行栅极致漏极泄漏擦除。

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